Teile-Nr.

Infineon IGBT / 85 A 30V max. , 650 V 227 W, 3-Pin PG-TO247 N-Kanal

RS Best.-Nr.:: 226-6112
Herst. Teile-Nr.:: IKW30N65EL5XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 85 A 30V max. , 650 V 227 W, 3-Pin PG-TO247 N-Kanal

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60 - 120	2,485 €	74,55 €
150 +	2,38 €	71,40 €

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RS Best.-Nr.:: 226-6112
Herst. Teile-Nr.:: IKW30N65EL5XKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	85 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	650 V
	Gate-Source Spannung max.	30V
	Anzahl an Transistoren	1
	Verlustleistung max.	227 W
	Konfiguration	Single
	Gehäusegröße	PG-TO247
	Channel-Typ	N
	Pinanzahl	3

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 85 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 650 V
	Gate-Source Spannung max. 30V
	Anzahl an Transistoren 1
	Verlustleistung max. 227 W
	Konfiguration Single
	Gehäusegröße PG-TO247
	Channel-Typ N
	Pinanzahl 3

Datasheet - IKW30N65EL5XKSA1

Der Infineon IKW30N65EL5 hat eine Durchschlagsspannung von 650 V, die sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung und einen höheren Wirkungsgrad von 50 Hz verwendet wird. Er hat eine längere Lebensdauer und eine höhere Zuverlässigkeit des IGBT.

QG mit niedriger Gate-Ladung
Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C.
Qualifiziert gemäß JEDEC für Zielanwendungen

Infineon IGBT / 85 A 30V max. , 650 V 227 W, 3-Pin PG-TO247 N-Kanal

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