Infineon IGBT / 85 A 30V max. , 650 V 227 W, 3-Pin PG-TO247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 226-6112
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW30N65EL5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Preis pro Stück (In einer Stange von 30)
3,515 €
(ohne MwSt.)
4,183 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 3,515 € | 105,45 € |
| 60 - 120 | 3,339 € | 100,17 € |
| 150 + | 3,199 € | 95,97 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 226-6112
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW30N65EL5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Infineon IKW30N65EL5 hat eine Durchschlagsspannung von 650 V, die sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung und einen höheren Wirkungsgrad von 50 Hz verwendet wird. Er hat eine längere Lebensdauer und eine höhere Zuverlässigkeit des IGBT.
QG mit niedriger Gate-Ladung
Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C.
Qualifiziert gemäß JEDEC für Zielanwendungen
Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C.
Qualifiziert gemäß JEDEC für Zielanwendungen
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 85 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V |
| Gate-Source Spannung max. | 30V |
| Verlustleistung max. | 227 W |
| Anzahl an Transistoren | 1 |
| Konfiguration | Single |
| Gehäusegröße | PG-TO247 |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 3 |
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