Infineon IGBT / 74 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 333 W, 3-Pin PG-TO247-3
- RS Best.-Nr.:
- 215-6653
- Herst. Teile-Nr.:
- IKB40N65EH5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,025 € | 8,05 € |
| 20 - 48 | 3,625 € | 7,25 € |
| 50 - 98 | 3,38 € | 6,76 € |
| 100 - 198 | 3,14 € | 6,28 € |
| 200 + | 2,94 € | 5,88 € |
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- 215-6653
- Herst. Teile-Nr.:
- IKB40N65EH5ATMA1
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Infineon Hochgeschwindigkeits-Schalttortransistor mit isoliertem Gate, bipolarer Transistor, mit Vollnennstrom und Rapid-1-Antiparalleldiode.
Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 74 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V, ±30 V |
| Verlustleistung max. | 333 W |
| Gehäusegröße | PG-TO247-3 |
| Pinanzahl | 3 |
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