Teile-Nr.

Infineon IGBT / 38 A 20V max. , 650 V 130 W TO-220-3

RS Best.-Nr.:: 242-0979
Herst. Teile-Nr.:: IKP28N65ES5XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 38 A 20V max. , 650 V 130 W TO-220-3

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RS Best.-Nr.:: 242-0979
Herst. Teile-Nr.:: IKP28N65ES5XKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	38 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	650 V
	Gate-Source Spannung max.	20V
	Verlustleistung max.	130 W
	Anzahl an Transistoren	1
	Gehäusegröße	TO-220-3
	Konfiguration	Single

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 38 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 650 V
	Gate-Source Spannung max. 20V
	Verlustleistung max. 130 W
	Anzahl an Transistoren 1
	Gehäusegröße TO-220-3
	Konfiguration Single

Datasheet - IKP28N65ES5XKSA1

Der 650 V, 28 A IGBT von Infineon mit antiparalleler Diode in TO-220-Gehäuse. Er verfügt über eine hohe Stromdichte, einen hohen Wirkungsgrad, schnellere Markteinführungszyklen, geringere Komplexität des Schaltkreises und eine Optimierung der Leiterplatten-Materialkosten.

Glattes Hochgeschwindigkeitsschaltgerät für hartes und weiches Schalten
175 °C maximale Verbindungstemperatur
Keine Gate-Klemmkomponenten erforderlich

Infineon IGBT / 38 A 20V max. , 650 V 130 W TO-220-3

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