Infineon IGBT / 38 A 20V max. , 650 V 130 W TO-220-3
- RS Best.-Nr.:
- 242-0979
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP28N65ES5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der 650 V, 28 A IGBT von Infineon mit antiparalleler Diode in TO-220-Gehäuse. Er verfügt über eine hohe Stromdichte, einen hohen Wirkungsgrad, schnellere Markteinführungszyklen, geringere Komplexität des Schaltkreises und eine Optimierung der Leiterplatten-Materialkosten.
Glattes Hochgeschwindigkeitsschaltgerät für hartes und weiches Schalten
175 °C maximale Verbindungstemperatur
Keine Gate-Klemmkomponenten erforderlich
175 °C maximale Verbindungstemperatur
Keine Gate-Klemmkomponenten erforderlich
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 38 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V |
| Gate-Source Spannung max. | 20V |
| Verlustleistung max. | 130 W |
| Anzahl an Transistoren | 1 |
| Gehäusegröße | TO-220-3 |
| Konfiguration | Single |
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