Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 28 A, 650 V 130 W TO-220

Alle IGBT anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 500 Stück)*

643,00 €

(ohne MwSt.)

765,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 22. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
500 +1,286 €643,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
242-0979
Herst. Teile-Nr.:
IKP28N65ES5XKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Einzel-Transistor-IC

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

28A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

130W

Gehäusegröße

TO-220

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 ±30 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.9V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

JEDEC47/20/22

Serie

5th Generation

Automobilstandard

Nein

Der 650 V, 28 A IGBT von Infineon mit antiparalleler Diode in TO-220-Gehäuse. Er verfügt über eine hohe Stromdichte, einen hohen Wirkungsgrad, schnellere Markteinführungszyklen, geringere Komplexität des Schaltkreises und eine Optimierung der Leiterplatten-Materialkosten.

Glattes Hochgeschwindigkeitsschaltgerät für hartes und weiches Schalten

175 °C maximale Verbindungstemperatur

Keine Gate-Klemmkomponenten erforderlich

Verwandte Links