Teile-Nr.

Infineon IGBT / 79 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 230 W, 3-Pin PG-TO263-3

RS Best.-Nr.:: 215-6654
Herst. Teile-Nr.:: IKB40N65ES5ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 79 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 230 W, 3-Pin PG-TO263-3

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RS Best.-Nr.:: 215-6654
Herst. Teile-Nr.:: IKB40N65ES5ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	79 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	650 V
	Gate-Source Spannung max.	±20 V, ±30 V
	Verlustleistung max.	230 W
	Gehäusegröße	PG-TO263-3
	Pinanzahl	3

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	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 79 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 650 V
	Gate-Source Spannung max. ±20 V, ±30 V
	Verlustleistung max. 230 W
	Gehäusegröße PG-TO263-3
	Pinanzahl 3

Datasheet-IKB40N65ES5ATMA1

Der bipolare Transistor mit isoliertem Gate der fünften Generation der Infineon Hochgeschwindigkeits-Schaltserie.

Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen

Infineon IGBT / 79 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 230 W, 3-Pin PG-TO263-3

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