Infineon IGBT / 79 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 230 W, 3-Pin PG-TO263-3
- RS Best.-Nr.:
- 215-6654
- Herst. Teile-Nr.:
- IKB40N65ES5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 1000)
2,053 €
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1000 + | 2,053 € | 2.053,00 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 215-6654
- Herst. Teile-Nr.:
- IKB40N65ES5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der bipolare Transistor mit isoliertem Gate der fünften Generation der Infineon Hochgeschwindigkeits-Schaltserie.
Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 79 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V, ±30 V |
| Verlustleistung max. | 230 W |
| Gehäusegröße | PG-TO263-3 |
| Pinanzahl | 3 |
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