Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 25 A, 650 V 32.5 W, 3-Pin TO-220 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
226-6079
Herst. Teile-Nr.:
IKA10N65ET6XKSA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Einzel-Transistor-IC

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

25A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

32.5W

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.5V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

30 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

TrenchStop

Automobilstandard

Nein

Der Infineon IKA10N65ET6 bietet eine gute Wärmeleistung, insbesondere bei höheren Frequenzen und erhöhter Designmarge und Zuverlässigkeit. Es ist eine sehr weiche, schnell rückgewinnende antiparallele Rapid Diode.

Sehr niedriger VCE(sat) 1,5 V (typ.)

Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C.

Low Gate-LadeQG

Bleifreie KabelplattenRoHS-konform

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