Infineon IGBT / 38 A 20V max. , 650 V 130 W TO-220-3
- RS Best.-Nr.:
- 242-0980
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP28N65ES5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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| 50 - 98 | 2,415 € | 4,83 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 242-0980
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP28N65ES5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 38 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | 20V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Verlustleistung max. | 130 W | |
| Gehäusegröße | TO-220-3 | |
| Konfiguration | Single | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 38 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. 20V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Verlustleistung max. 130 W | ||
Gehäusegröße TO-220-3 | ||
Konfiguration Single | ||
Der 650 V, 28 A IGBT von Infineon mit antiparalleler Diode in TO-220-Gehäuse. Er verfügt über eine hohe Stromdichte, einen hohen Wirkungsgrad, schnellere Markteinführungszyklen, geringere Komplexität des Schaltkreises und eine Optimierung der Leiterplatten-Materialkosten.
Glattes Hochgeschwindigkeitsschaltgerät für hartes und weiches Schalten
175 °C maximale Verbindungstemperatur
Keine Gate-Klemmkomponenten erforderlich
175 °C maximale Verbindungstemperatur
Keine Gate-Klemmkomponenten erforderlich
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