Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 30 A, 1200 V 156 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
226-6076
Herst. Teile-Nr.:
IHW15N120E1XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Einzel-Transistor-IC

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

30A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

156W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.5V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

25 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

JEDEC for target applications

Länge

42mm

Serie

Resonant Soft-Switching

Höhe

5.21mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon IHW15N120E1 Power Vollmonolithische Gehäusediode mit niedriger Durchlassspannung, die nur für weiche Kommutierung ausgelegt ist und über eine hohe Robustheit und ein temperaturstabiles Verhalten mit niedrigem VCEsat verfügt.

Sehr enge Parameter Verteilung

Geringe elektromagnetische Störungen

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