Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 30 A, 1.2 kV 156 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 226-6076
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW15N120E1XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- IHW15N120E1XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT-Einzel-Transistor-IC | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 30A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1.2kV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 156W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.5V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 25 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Länge | 42mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC for target applications | |
| Breite | 16.13mm | |
| Serie | Resonant Soft-Switching | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT-Einzel-Transistor-IC | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 30A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1.2kV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 156W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.5V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 25 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 5.21mm | ||
Länge 42mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC for target applications | ||
Breite 16.13mm | ||
Serie Resonant Soft-Switching | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon IHW15N120E1 Power Vollmonolithische Gehäusediode mit niedriger Durchlassspannung, die nur für weiche Kommutierung ausgelegt ist und über eine hohe Robustheit und ein temperaturstabiles Verhalten mit niedrigem VCEsat verfügt.
Sehr enge Parameter Verteilung
Geringe elektromagnetische Störungen
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