Teile-Nr.

Infineon IGBT / 30 A 25V max. , 1200 V 156 W, 3-Pin PG-TO247 N-Kanal

RS Best.-Nr.:: 226-6076
Herst. Teile-Nr.:: IHW15N120E1XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 30 A 25V max. , 1200 V 156 W, 3-Pin PG-TO247 N-Kanal

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25 - 45	2,306 €	11,53 €
50 - 120	2,148 €	10,74 €
125 - 245	2,016 €	10,08 €
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RS Best.-Nr.:: 226-6076
Herst. Teile-Nr.:: IHW15N120E1XKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	30 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	1200 V
	Gate-Source Spannung max.	25V
	Verlustleistung max.	156 W
	Anzahl an Transistoren	1
	Gehäusegröße	PG-TO247
	Konfiguration	Single
	Channel-Typ	N
	Pinanzahl	3
	Transistor-Konfiguration	Einfach

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 30 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V
	Gate-Source Spannung max. 25V
	Verlustleistung max. 156 W
	Anzahl an Transistoren 1
	Gehäusegröße PG-TO247
	Konfiguration Single
	Channel-Typ N
	Pinanzahl 3
	Transistor-Konfiguration Einfach

Datasheet - IHW15N120E1XKSA1

Die Infineon IHW15N120E1 Power Vollmonolithische Gehäusediode mit niedriger Durchlassspannung, die nur für weiche Kommutierung ausgelegt ist und über eine hohe Robustheit und ein temperaturstabiles Verhalten mit niedrigem VCEsat verfügt.

Sehr enge Parameter Verteilung
Geringe elektromagnetische Störungen

Infineon IGBT / 30 A 25V max. , 1200 V 156 W, 3-Pin PG-TO247 N-Kanal

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