Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 80 A, 1200 V 5 kW, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 226-6119
- Herst. Teile-Nr.:
- IKY40N120CS6XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- IKY40N120CS6XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 80A | |
| Produkt Typ | IGBT-Einzel-Transistor-IC | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 5kW | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.15V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 25 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Länge | 41.2mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 80A | ||
Produkt Typ IGBT-Einzel-Transistor-IC | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 5kW | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.15V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 25 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.1mm | ||
Länge 41.2mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 40 A IGBT mit antiparalleler Diode ist eine sehr weiche, schnell rückgewinnende antiparallele Diode und hat eine hohe Robustheit und ein temperaturstabiles Verhalten. Er verwendete eine niedrige Gate-Ladung.
Geringe elektromagnetische Störungen
QG mit niedriger Gatterladung
Niedrige Sättigungsspannung bei 1,85 V in Kombination mit niedrigen Schaltverlusten
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