Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 60 A, 1200 V 330 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

21,19 €

(ohne MwSt.)

25,22 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 5 Einheit(en) versandfertig
  • Zusätzlich 1.640 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 260 Einheit(en) mit Versand ab 02. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 204,238 €21,19 €
25 - 452,798 €13,99 €
50 - 1202,584 €12,92 €
125 - 2452,42 €12,10 €
250 +2,246 €11,23 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
226-6078
Herst. Teile-Nr.:
IHW30N120R5XKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Einzel-Transistor-IC

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

60A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

330W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

N

Pinanzahl

3

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

25 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.55V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

42mm

Höhe

5.21mm

Serie

Resonant Switching

Breite

16.13mm

Automobilstandard

Nein

IGBT-Einzeltransistor-IC der Resonanzschaltserie von Infineon, 1200 V max. Kollektor-Emitter-Spannung, 60 A max. kontinuierlicher Kollektorstrom – IHW30N120R5XKSA1


Dieser IGBT-Einzeltransistor-IC ist ein dreipoliger, durchkontaktierter Leistungstransistor, der für Hochspannungsschaltungen in Resonanzwandler-Topologien entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich und eignet sich für anspruchsvolle industrielle Umgebungen, in denen eine hohe Kollektor-Emitter-Spannung und ein hoher Gleichstrom erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:


• Die Kollektor-Emitter-Bewertung von 1200 V ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• 60 A kontinuierlicher Kollektorstrom unterstützt schwere Leitlasten
• 1,55 V VCE(sat) sorgt für geringe Leitungsverluste im Ein-Zustand
• Maximale Verlustleistung von 330 W ermöglicht eine hohe Leistungsaufnahme
• 25-V-Gate-Emitter schützt das Gate maximal vor Überstrom

Anwendungsbereich


• Geeignet für Resonanzwandler-Leistungsstufen in industriellen Systemen
• Ideal für Hochspannungsnetzteile, die 1200-V-Geräte erfordern
• Wird für Schaltmodule verwendet, die eine kontinuierliche Kapazität von 60 A benötigen
• Kann in thermisch belasteten Umgebungen bis zu 175 °C eingesetzt werden
• Geeignet für Durchsteckmontage und wartungsfähige Stromplatinen

Welche Torschutzgrenzwerte sollten beachtet werden?


Halten Sie Gate-Emitter-Ausbrüche innerhalb von ±25 V, um einen Gate-Ausfall zu verhindern.

Wie wirkt sich der thermische Bereich auf die Installationsentscheidungen aus?


Das Gerät arbeitet von -40 °C bis 175 °C, sodass der Kühlkörper und der Luftstrom mit der oberen Temperatur übereinstimmen müssen, um sichere Anschlusstemperaturen aufrechtzuerhalten.

Welche Befestigungsmethode ist für einen zuverlässigen Betrieb erforderlich?


Die Durchsteckmontage in einer Leiterplatte oder die Montage mit isoliertem Kühlkörper gewährleistet mechanische Stabilität und Wärmeleitfähigkeit.

Welches Gehäuse und welche Pinanzahl bietet er für das Board-Layout?


Er wird in einem TO‐247-Gehäuse mit drei Stiften für Standard-Leistungsplatinen-Footprints geliefert.

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.