Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 60 A, 1.2 kV 330 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 226-6078
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N120R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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| 50 - 120 | 2,584 € | 12,92 € | 82,70 € |
| 125 - 245 | 2,42 € | 12,10 € | 227,25 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 226-6078
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N120R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 60A | |
| Produkt Typ | IGBT-Einzel-Transistor-IC | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1.2kV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 330W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 25 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.55V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Serie | Resonant Switching | |
| Breite | 16.13mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 42mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 60A | ||
Produkt Typ IGBT-Einzel-Transistor-IC | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1.2kV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 330W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 25 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.55V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.21mm | ||
Serie Resonant Switching | ||
Breite 16.13mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 42mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
IGBT-Einzeltransistor-IC der Resonanzschaltserie von Infineon, 1200 V max. Kollektor-Emitter-Spannung, 60 A max. kontinuierlicher Kollektorstrom – IHW30N120R5XKSA1
Merkmale und Vorteile:
• 60 A kontinuierlicher Kollektorstrom unterstützt schwere Leitlasten
• 1,55 V VCE(sat) sorgt für geringe Leitungsverluste im Ein-Zustand
• Maximale Verlustleistung von 330 W ermöglicht eine hohe Leistungsaufnahme
• 25-V-Gate-Emitter schützt das Gate maximal vor Überstrom
Anwendungsbereich
• Ideal für Hochspannungsnetzteile, die 1200-V-Geräte erfordern
• Wird für Schaltmodule verwendet, die eine kontinuierliche Kapazität von 60 A benötigen
• Kann in thermisch belasteten Umgebungen bis zu 175 °C eingesetzt werden
• Geeignet für Durchsteckmontage und wartungsfähige Stromplatinen
Welche Torschutzgrenzwerte sollten beachtet werden?
Wie wirkt sich der thermische Bereich auf die Installationsentscheidungen aus?
Welche Befestigungsmethode ist für einen zuverlässigen Betrieb erforderlich?
Welches Gehäuse und welche Pinanzahl bietet er für das Board-Layout?
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