Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 60 A, 1200 V 330 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

13,06 €

(ohne MwSt.)

15,54 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 25 Einheit(en) versandfertig
  • Zusätzlich 1.675 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 20 Einheit(en) mit Versand ab 15. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 202,612 €13,06 €
25 - 451,722 €8,61 €
50 - 1201,594 €7,97 €
125 - 2451,488 €7,44 €
250 +1,384 €6,92 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
226-6078
Herst. Teile-Nr.:
IHW30N120R5XKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

60A

Produkt Typ

IGBT-Einzel-Transistor-IC

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

330W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.55V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

25 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

42mm

Höhe

5.21mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

Resonant Switching

Automobilstandard

Nein

Die Infineon IHW30N120R5 Power Vollmonolithische Gehäusediode mit niedriger Durchlassspannung, die nur für weiche Kommutierung ausgelegt ist und über eine hohe Robustheit und ein temperaturstabiles Verhalten mit niedrigem VCEsat verfügt.

Sehr enge Parameter Verteilung

Geringe elektromagnetische Störungen

Verwandte Links