Infineon IGBT-Modul / 105 A, 1200 V 355 W AG-ECONO3-3 N-Kanal Klemme

RS Best.-Nr.:: 166-0895
Herst. Teile-Nr.:: FP75R12KE3BOSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT-Modul / 105 A, 1200 V 355 W AG-ECONO3-3 N-Kanal Klemme

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RS Best.-Nr.:: 166-0895
Herst. Teile-Nr.:: FP75R12KE3BOSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	IGBT-Modul
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic	105A
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo	1200V
	Maximale Verlustleistung Pd	355W
	Gehäusegröße	AG-ECONO3-3
	Montageart	Klemme
	Kabelkanaltyp	N
	Schaltgeschwindigkeit	0.26μs
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO	20 V
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT	2.2V
	Maximale Betriebstemperatur	125°C
	Breite	62mm
	Länge	122mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Höhe	17mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ IGBT-Modul
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 105A
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V
	Maximale Verlustleistung Pd 355W
	Gehäusegröße AG-ECONO3-3
	Montageart Klemme
	Kabelkanaltyp N
	Schaltgeschwindigkeit 0.26μs
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.2V
	Maximale Betriebstemperatur 125°C
	Breite 62mm
	Länge 122mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Höhe 17mm
	Automobilstandard Nein

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:: MY

Infineon IGBT-Modul, max. Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V, max. Kollektorstrom 105 A – FP75R12KE3BOSA1

Dieses IGBT-Modul ist ein Leistungshalbleitergerät, das zum Schalten und Steuern von Hochspannungs-Gleichstrom in industriellen Wandler- und Wechselrichterumgebungen entwickelt wurde. Er kombiniert eine isolierte Gate-Steuerung mit Hochspannungsfähigkeit, um Leistungsumwandlungsaufgaben über einen breiten Betriebstemperaturbereich zu unterstützen, und wird in einem Klemmmontagegehäuse geliefert, das für eine sichere mechanische Befestigung geeignet ist.

Merkmale und Vorteile:

• Die Nennleistung von 1200 V ermöglicht Hochspannungsschaltvorgänge in Leistungsstufen
• 105 A kontinuierlicher Kollektorstrom für dauerhafte Lasthandhabung
• Maximale Verlustleistung von 355 W unterstützt einen hohen Leistungsdurchsatz
• 2,2 V Vce(sat) minimiert Leitungsverluste unter Last
• 0,26 μs Schaltgeschwindigkeit reduziert Übergangsverluste beim Schalten
• Die Gate-Emitter-Grenzwert von ±20 V gewährleistet eine robuste Gate-Treiber-Toleranz

Anwendungsbereich

• Geeignet für 1200-V-IGBT-Modul für Wechselrichter in industriellen Antrieben
• Ideal für Hochleistungs-IGBT-Wandlerbaugruppen mit 355 W
• Wird für 105-A-Kollektorstrom-IGBT-Motorsteuerungssysteme verwendet
• Kann für IGBT-Modul-Stromversorgungsracks mit Klemmmontage verwendet werden
• Einsatz mit nicht-automatischer Leistungselektronik und Traktionsprüfbänken

Welche Umgebungstemperaturen kann das Gerät während des Betriebs vertragen?

Er funktioniert korrekt über einen breiten Temperaturbereich von -40 °C bis 125 °C und ermöglicht so den Einsatz in anspruchsvollen thermischen Umgebungen.

Wie wirkt sich das Gehäuse auf die Montage und Wartungsfreundlichkeit aus?

Die klammerartige Befestigungsanordnung sorgt für eine feste Befestigung und einen einfachen Austausch ohne spezielle Befestigungselemente.

Welche elektrische Polarität und welche Kanalart wird verwendet?

Das Gerät ist ein N-Kanal-IGBT, das für herkömmliche Kollektor-Emitter-Schalttopologien geeignet ist.

Gibt es Einschränkungen für die Gate-Antriebsspannung während des Gebrauchs?

Die Gate-Emitter-Spannung muss innerhalb von ±20 V gehalten werden, um Gate-Oxid-Spannungen zu vermeiden und eine zuverlässige Schaltung zu gewährleisten.