Infineon IGBT-Modul / 150 A, 1200 V 750 W, 35-Pin EconoPACK 3 N-Kanal Klemme

RS Best.-Nr.:: 166-0972
Herst. Teile-Nr.:: FS150R12KT4BOSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT-Modul / 150 A, 1200 V 750 W, 35-Pin EconoPACK 3 N-Kanal Klemme

Zwischensumme (1 Schale mit 10 Stück)*

964,32 €

(ohne MwSt.)

1.147,54 €

(inkl. MwSt.)

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Vorübergehend ausverkauft

Versand ab 15. März 2027

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Schale*
10 +	96,432 €	964,32 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 166-0972
Herst. Teile-Nr.:: FS150R12KT4BOSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	IGBT-Modul
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic	150A
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo	1200V
	Maximale Verlustleistung Pd	750W
	Gehäusegröße	EconoPACK 3
	Montageart	Klemme
	Kabelkanaltyp	N
	Pinanzahl	35
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO	20 V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT	2.1V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	17mm
	Länge	122mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	62mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ IGBT-Modul
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 150A
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V
	Maximale Verlustleistung Pd 750W
	Gehäusegröße EconoPACK 3
	Montageart Klemme
	Kabelkanaltyp N
	Pinanzahl 35
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.1V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 17mm
	Länge 122mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 62mm
	Automobilstandard Nein

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:: MY

Infineon IGBT-Modul, max. Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V, max. Kollektorstrom 150 A – FS150R12KT4BOSA1

Dieses IGBT-Modul ist ein Leistungshalbleitergerät, das zum Schalten und Steuern von Hochspannungs- und Hochstromkreisen in industriellen Leistungselektroniksystemen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich, der für anspruchsvolle Umgebungen geeignet ist, und ist in einem kompakten Klemmbefestigungsgehäuse untergebracht, das in Standard-Stromversorgungen integriert wird.

Merkmale und Vorteile:

• Die Nennleistung von 1200 V ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• 150 A Dauerstrom unterstützt eine erhebliche Lastübernahme
• 2,1 V Vce(sat) sorgt für reduzierte Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 750 W ermöglicht einen dauerhaften Leistungsdurchsatz
• 35 Stifte ermöglichen mehrere elektrische Verbindungen
• 20 V Gate-Emitter-Toleranz unterstützt robuste Gate-Treiberbereiche

Anwendungsbereiche

• Geeignet für Traktions- und Motorantriebs-Wechselrichterstufen
• Ideal für industrielle Wandler und Stromversorgungen
• Einsatz mit dreiphasigen Frequenzumrichtern in erneuerbaren Anlagen
• Kann für Induktionsheizungsmodule verwendet werden
• Geeignet für industrielle Mittelspannungsantriebe

Welche Befestigungsmerkmale sind für die Installation erforderlich?

Es verwendet eine Klemmbefestigung, die einen sicheren mechanischen Kontakt und eine einfache Integration in bestehende Kühlkörperbaugruppen gewährleistet.

Wie verhält sich das Gerät unter erhöhten Umgebungsbedingungen?

Er ist für den Betrieb bei einer Sperrschichttemperatur von bis zu 150 °C ausgelegt und behält seine Schaltfähigkeit bei hohen Temperaturen bei.

Welche Gate-Spannungsbeschränkungen müssen bei der Antriebsentwicklung beachtet werden?

Die Gate-Emitter-Spannung darf 20 V nicht überschreiten, um eine Belastung des Gate-Geräts zu vermeiden und gleichzeitig eine ordnungsgemäße Ein- und Ausschaltsteuerung zu ermöglichen.

Wie tolerant ist das Modul für den Einsatz bei niedrigen Temperaturen?

Er funktioniert bis zu -40 °C und ermöglicht so den Einsatz unter Kaltstartbedingungen, ohne die grundlegende Schaltleistung zu beeinträchtigen.