Infineon IGBT-Modul / 150 A +/-20V max. 6-fach, 1200 V 750 W

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
244-5408
Herst. Teile-Nr.:
FS150R12KT4B11BOSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

150 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

+/-20V

Verlustleistung max.

750 W

Anzahl an Transistoren

6

Das Infineon IGBT-Modul hat einen maximalen Nennwert von wiederholtem Peak Kollektor-Strom von 300 A und eine Kollektor-Emitter-Sättigungsvoltag von 2,10 V, Gate-Schwellenspannung von 6,4 V.

Kollektor-Emitter-Abschaltstrom 1,0 mA
Temperatur unter Schaltbedingungen 150 °C.
Gate-Emitter-Leckstrom 100 nA
Umgekehrte Übertragungskapazität NF

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