- RS Best.-Nr.:
- 166-2138
- Herst. Teile-Nr.:
- ISL9V3040D3ST
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 21 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 300 V |
Gate-Source Spannung max. | ±10V |
Verlustleistung max. | 150 W |
Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
Montage-Typ | SMD |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 3 |
Schaltgeschwindigkeit | 1MHz |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Abmessungen | 6.73 x 6.22 x 2.39mm |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
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