Infineon IGBT / 10 A, 600 V 150 W TO-252

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RS Best.-Nr.:
258-1003
Herst. Teile-Nr.:
IKD10N60RFATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

10A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Gehäusegröße

TO-252

Schaltgeschwindigkeit

30kHz

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

TRENCHSTOPTMRC-DrivesFast

Normen/Zulassungen

RoHS, Pb-free lead plating

Automobilstandard

Nein

Der schwer schaltbare IGBT3 von Infineon RC-Drives 600 V, 10 A mit monolithisch integrierter umgekehrter Leitdiode in einem TO252-Gehäuse wurde von Infineon als kostenoptimierte Lösung für den Verbraucher-Laufwerke-Markt entwickelt. Diese grundlegende Technologie bietet eine hervorragende Leistung für synchrone und bürstenlose DC-Motorantriebe mit Permanentmagneten.

Sehr enge Parameterverteilung

Bestes Stromverhalten im Vergleich zur Gehäusegröße

Hervorragende Temperaturstabilität

Sehr gutes elektromagnetisches Verhalten

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