Infineon IGBT / 20 A 20V max. , 600 V 150 W, 3-Pin PG-TO252 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
226-6097
Herst. Teile-Nr.:
IKD10N60RATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

20 A

Kollektor-Emitter-Spannung

600 V

Gate-Source Spannung max.

20V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

150 W

Konfiguration

Single

Gehäusegröße

PG-TO252

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Der Infineon IKD03N60RF ist aufgrund des monolithisch integrierten IGBT und der Diode aufgrund des geringeren thermischen Schaltzyklus zuverlässiger. Er verfügt über eine glatte Schaltleistung, die zu einem niedrigen EMI-Pegel führt, und sein Betriebsbereich beträgt 4 bis 30 kHz.

Sehr enge Parameter Verteilung
Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C.
Kurzschlussfestigkeit von 5 μs

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