Teile-Nr.

Infineon IGBT / 10 A, 600 V 150 W TO-252

RS Best.-Nr.:: 258-1004
Herst. Teile-Nr.:: IKD10N60RFATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 10 A, 600 V 150 W TO-252

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RS Best.-Nr.:: 258-1004
Herst. Teile-Nr.:: IKD10N60RFATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	IGBT
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic	10A
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo	600V
	Maximale Verlustleistung Pd	150W
	Gehäusegröße	TO-252
	Schaltgeschwindigkeit	30kHz
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT	2.2V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO	±20 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Serie	TRENCHSTOPTMRC-DrivesFast
	Normen/Zulassungen	RoHS, Pb-free lead plating
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ IGBT
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 10A
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V
	Maximale Verlustleistung Pd 150W
	Gehäusegröße TO-252
	Schaltgeschwindigkeit 30kHz
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.2V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Serie TRENCHSTOPTMRC-DrivesFast
	Normen/Zulassungen RoHS, Pb-free lead plating
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IKD10N60RFATMA1

Der schwer schaltbare IGBT3 von Infineon RC-Drives 600 V, 10 A mit monolithisch integrierter umgekehrter Leitdiode in einem TO252-Gehäuse wurde von Infineon als kostenoptimierte Lösung für den Verbraucher-Laufwerke-Markt entwickelt. Diese grundlegende Technologie bietet eine hervorragende Leistung für synchrone und bürstenlose DC-Motorantriebe mit Permanentmagneten.

Sehr enge Parameterverteilung

Bestes Stromverhalten im Vergleich zur Gehäusegröße

Hervorragende Temperaturstabilität

Sehr gutes elektromagnetisches Verhalten

Infineon IGBT / 10 A, 600 V 150 W TO-252

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