Infineon IGBT / 6,5 A 20V max. , 600 V 53,6 W, 3-Pin PG-TO252 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 226-6095
- Herst. Teile-Nr.:
- IKD06N60RFATMA1
- Marke:
- Infineon
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Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 2500)
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,467 € | 1.167,50 € |
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Nicht als Expresslieferung erhältlich
- RS Best.-Nr.:
- 226-6095
- Herst. Teile-Nr.:
- IKD06N60RFATMA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Infineon IKD03N60RF ist aufgrund des monolithisch integrierten IGBT und der Diode aufgrund des geringeren thermischen Schaltzyklus zuverlässiger. Er verfügt über eine glatte Schaltleistung, die zu einem niedrigen EMI-Pegel führt, und sein Betriebsbereich beträgt 4 bis 30 kHz.
Sehr enge Parameter Verteilung
Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C.
Kurzschlussfestigkeit von 5 μs
Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C.
Kurzschlussfestigkeit von 5 μs
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 6,5 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V |
| Gate-Source Spannung max. | 20V |
| Verlustleistung max. | 53,6 W |
| Anzahl an Transistoren | 1 |
| Konfiguration | Single |
| Gehäusegröße | PG-TO252 |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 3 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
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