Infineon IGBT / 30 A, 600 V 250 W, 3-Pin TO-252 Typ N-Kanal Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
215-6657
Herst. Teile-Nr.:
IKD15N60RATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

30A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

20kHz

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.1V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

JEDEC

Serie

TrenchStop

Automobilstandard

Nein

Der Infineon bipolare Transistor mit isoliertem Gate und integrierter Diode in Gehäusen bietet einen platzsparenden Vorteil.

Hoher Wirkungsgrad

Niedrige Schaltverluste

Erhöhte Zuverlässigkeit

Geringe elektromagnetische Störungen

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