Bourns IGBT, 600 V 82 W TO-252

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RS Best.-Nr.:
253-3500P
Herst. Teile-Nr.:
BIDD05N60T
Marke:
Bourns
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Marke

Bourns

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

82W

Gehäusegröße

TO-252

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±30 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Serie

BIDD05N60T

Automobilstandard

Nein

Das IGBT-Gerät von Bourns vereint die Technologie eines MOS-Gate und eines bipolaren Transistors zu einem optimalen Bauteil für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen. Dieses Gerät verwendet die Trench-Gate-Field-Stop-Technologie, die eine bessere Kontrolle der dynamischen Eigenschaften mit einer geringeren Sättigungsspannung zwischen Kollektor und Emitter (VCE(sat)) und geringeren Schaltverlusten ermöglicht. Darüber hinaus verbessert diese Struktur die Robustheit des Geräts.

600 V, 5 A, niedrige VCE(sat)

Trench-Gate-Field-Stop-Technologie

Optimiert für Leitfähigkeit

Robust

RoHS-konform

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