IXYS IGBT / 50 A, 1200 V, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
168-4412
Herst. Teile-Nr.:
IXGH30N120B3D1
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Dauer-Kollektorstrom max.

50 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

–55 °C

IGBTs, diskret, IXYS



IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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