IXYS Hochgeschwindigkeits-IGBT / 66 A, 1200 V 416 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

RS Best.-Nr.:: 168-4779
Herst. Teile-Nr.:: IXYH30N120C3D1
Marke:: IXYS

IXYS Hochgeschwindigkeits-IGBT / 66 A, 1200 V 416 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:: 168-4779
Herst. Teile-Nr.:: IXYH30N120C3D1
Marke:: IXYS

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	IXYS
	Produkt Typ	Hochgeschwindigkeits-IGBT
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic	66A
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo	1200V
	Maximale Verlustleistung Pd	416W
	Gehäusegröße	TO-247
	Montageart	Durchsteckmontage
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Pinanzahl	3
	Schaltgeschwindigkeit	50kHz
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT	3.3V
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO	±20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	International Standard Package
	Länge	20.32mm
	Serie	GenX3TM
	Energie	400mJ
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke IXYS
	Produkt Typ Hochgeschwindigkeits-IGBT
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 66A
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V
	Maximale Verlustleistung Pd 416W
	Gehäusegröße TO-247
	Montageart Durchsteckmontage
	Kabelkanaltyp Typ N
	Pinanzahl 3
	Schaltgeschwindigkeit 50kHz
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 3.3V
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen International Standard Package
	Länge 20.32mm
	Serie GenX3TM
	Energie 400mJ
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: US

IGBTs, diskret, Serie IXYS XPT

Die diskreten IGBTs der XPT™-Serie von IXYS zeichnen sich durch die Dünnwafer-Technologie Extreme-light Punch-Through aus, mit welcher der Wärmewiderstand und Energieverluste verringert werden können. Die Geräte sorgen für kurze Schaltzeiten bei geringem Tailstrom und sind in mehreren Gehäusen in proprietärer Ausführung erhältlich, die Industriestandards entsprechen.

Hohe Leistungsdichte und niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Quadratische, sichere Betriebsbereiche für Sperrvorspannung (RBSOA) bis zu ausgelegter Durchschlagsspannung

10 μs lange Kurzschlussauslösung

Positiver Temperaturkoeffizient der Durchlassspannung

Individuell verpackte (optional) Sonic-FRD™- oder HiPerFRED™-Dioden

Hochspannungsgehäuse in proprietärer Ausführung gemäß internationaler Normen

IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS

Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

IXYS Hochgeschwindigkeits-IGBT / 66 A, 1200 V 416 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

IGBTs, diskret, Serie IXYS XPT

IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS

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