Fuji Electric IGBT-Modul / 50 A, 600 V 201 W, 25-Pin P 630 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
168-4799
Herst. Teile-Nr.:
7MBP50VDA-060-50
Marke:
Fuji Electric
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Marke

Fuji Electric

Dauer-Kollektorstrom max.

50 A

Kollektor-Emitter-Spannung

600 V

Verlustleistung max.

201 W

Gehäusegröße

P 630

Konfiguration

3-phasig

Montage-Typ

PCB-Montage

Channel-Typ

N

Pinanzahl

25

Schaltgeschwindigkeit

20kHz

Transistor-Konfiguration

3-phasig

Abmessungen

128.5 x 84 x 14mm

Betriebstemperatur max.

+110 °C

Betriebstemperatur min.

–20 °C

Ursprungsland:
JP

IPM (Intelligent Power Modul) IGBT, V-Serie, Fuji Electric


Die intelligenten Power-Module (IPM) der Serie V von Fuji Electric sind mit Antriebs-, Steuerungs- und Schutz-IGBT-Stromkreisen ausgestattet. Sie lassen sich leicht in Leistungssteuerungsanwendungen in AC-Servos, Klimaanlagen und Aufzügen implementieren. Integrierte Schutzfunktionen optimieren und verlängern die Lebensdauer der IPM IGBTs und gewährleisten somit eine hohe Systemzuverlässigkeit. Die IPMs sind mit Schutz gegen Überstrom, Kurzschluss, Spannungsabfall der Steuerungsleistung und Überhitzung ausgestattet und umfassen Ausgangsalarmsignale.

6 MBP... Ohne Brems-Chopper
7 MBP... Mit Brems-Chopper


IGBT, diskrete Bauteile und Module, Fuji Electric


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.