STMicroelectronics IGBT / 11 A, 600 V 28 W, 3-Pin TO-220 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

54,05 €

(ohne MwSt.)

64,30 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 30. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 501,081 €54,05 €
100 - 4500,81 €40,50 €
500 - 9500,714 €35,70 €
1000 - 49500,695 €34,75 €
5000 +0,678 €33,90 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
168-7736
Herst. Teile-Nr.:
STGF14NC60KD
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

11A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

28W

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

1MHz

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.5V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.4mm

Breite

4.6 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

16.4mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

IGBT, diskret, STMicroelectronics


IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links