STMicroelectronics IGBT / 25 A ±20V max., 600 V, 3-Pin TO-220 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 178-1479
- Herst. Teile-Nr.:
- STGP7NC60HD
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
43,85 €
(ohne MwSt.)
52,20 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- 100 Einheit(en) mit Versand ab 14. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,877 € | 43,85 € |
| 100 - 450 | 0,75 € | 37,50 € |
| 500 - 950 | 0,731 € | 36,55 € |
| 1000 - 4950 | 0,712 € | 35,60 € |
| 5000 + | 0,694 € | 34,70 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 178-1479
- Herst. Teile-Nr.:
- STGP7NC60HD
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 25 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 10.4 x 4.6 x 9.15mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 25 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 10.4 x 4.6 x 9.15mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
IGBT, diskret, STMicroelectronics
IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- STMicroelectronics IGBT / 25 A ±20V max. 3-Pin TO-220 N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 20 A ±20V max. 3-Pin TO-220 N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 15 A ±20V max. 3-Pin TO-220 N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 7 600 V 38 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 10 A ±20V max. 3-Pin TO-220 N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 23 A ±20V max. 3-Pin TO-220FP N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 9 A ±20V max. 3-Pin TO-220FP N-Kanal
- Infineon IGBT / 11 600 V, 3-Pin TO-220 N-Kanal