Vishay IGBT 375 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
180-7419
Herst. Teile-Nr.:
SUM70060E-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

IGBT

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

ThunderFET

Länge

15.875mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

10.414 mm

Automobilstandard

Nein

Energie

125mJ

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


Der Vishay MOSFET ist ein N-Kanal TO-263-3-Gehäuse und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 100 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 5,6 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 375 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• Halogen- und bleifreie Komponente (Pb)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Anwendungen


• AC/DC-Schaltnetzteile

• Batterie- und Batteriemanagement

• DC/AC-Wechselrichter

• DC/DC-Wandler

• Beleuchtung

• Motorantriebsschalter

• Synchroner Gleichrichter

• Unterbrechungsfreie Stromversorgungen

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