onsemi IGBT-Modul / 35 A ±20.0V max. 6-fach, 650 V DIP26 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
202-5682
Herst. Teile-Nr.:
NXH35C120L2C2SG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Dauer-Kollektorstrom max.

35 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20.0V

Anzahl an Transistoren

6

Gehäusegröße

DIP26

Konfiguration

3-phasig

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Das on Semiconductor Transferform-Leistungsmodul mit einem Wandler/Wechselrichter-Bremskreis bestehend aus sechs 35-Ampere- und 1600-Volt-Gleichrichtern, sechs 35-Ampere- und 1200-Volt-IGBTs mit inversen Dioden, einem 35-Ampere- und 1200-Volt-Brems-IGBT mit Bremsdiode und einem NTC-Heißleiter.

Niedriger Wärmewiderstand
6 mm Abstand zwischen Stift und Kühlkörper
Lötbare Stifte
Thermistor
Bleifrei
Halogenfrei oder BFR-frei
RoHS-konform

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