- RS Best.-Nr.:
- 273-7363
- Herst. Teile-Nr.:
- F3L100R07W2E3B11BOMA1
- Marke:
- Infineon
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- F3L100R07W2E3B11BOMA1
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- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Infineons IGBT-Modul hat 650 V VCES, 100 A kontinuierlichen DC-Kollektorstrom 3 Level Phase Leg IGBT-Modul mit TRENCHSTOP IGBT3, Emitter Controlled 3 Diode, NTC und Press FIT Contact Technology. Dieses IGBT-Modul erhöht die Sperrspannungsfähigkeit auf 650 V und ist mit einem Al2O3-Substrat mit geringem Wärmewiderstand erhältlich.
Niedriger VCEsat
Kompakte Bauweise
Robuste Montage
Niedrige induktive Bauweise
Niedrige Schaltverluste
Kompakte Bauweise
Robuste Montage
Niedrige induktive Bauweise
Niedrige Schaltverluste
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 117 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V |
Gate-Source Spannung max. | +/-20V |
Verlustleistung max. | 300 W |
Gehäusegröße | Modul |
Montage-Typ | Tafelmontage |
- RS Best.-Nr.:
- 273-7363
- Herst. Teile-Nr.:
- F3L100R07W2E3B11BOMA1
- Marke:
- Infineon
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