STMicroelectronics IGBT / 86 A 20V max. , 650 V 272 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
204-3944
Herst. Teile-Nr.:
STGWA50HP65FB2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Dauer-Kollektorstrom max.

86 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

20V

Verlustleistung max.

272 W

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

TO-247

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Ursprungsland:
CN
Der 650-V-IGBT der STMicroelectronics HB2-Serie stellt eine Weiterentwicklung der Advanced-eigenen Trench Gate Field Stopp-Struktur dar. Die Leistung der HB2-Serie ist durch ein besseres VCE(sat)-Verhalten bei niedrigen Stromwerten sowie durch reduzierte Schaltenergie optimiert. Eine Diode, die nur zu Schutzzwecken verwendet wird, ist antiparallel zum IGBT verpackt. Das Ergebnis ist ein Produkt, das speziell zur Maximierung der Effizienz für eine Vielzahl von schnellen Anwendungen entwickelt wurde.

Maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C.
Co-Packaged-Schutzdiode
Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
Positiver Temperaturkoeffizient

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