- RS Best.-Nr.:
- 204-3945
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA20HP65FB2
- Marke:
- STMicroelectronics
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Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer Stange von 30)
1,559 €
(ohne MwSt.)
1,855 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
---|---|---|
30 - 90 | 1,559 € | 46,77 € |
120 - 240 | 1,517 € | 45,51 € |
270 - 480 | 1,477 € | 44,31 € |
510 - 990 | 1,439 € | 43,17 € |
1020 + | 1,403 € | 42,09 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 204-3945
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA20HP65FB2
- Marke:
- STMicroelectronics
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Der 650-V-IGBT der STMicroelectronics HB2-Serie stellt eine Weiterentwicklung der Advanced-eigenen Trench Gate Field Stopp-Struktur dar. Die Leistung der HB2-Serie ist durch ein besseres VCE(sat)-Verhalten bei niedrigen Stromwerten sowie durch reduzierte Schaltenergie optimiert. Eine Diode, die nur zu Schutzzwecken verwendet wird, ist antiparallel zum IGBT verpackt. Das Ergebnis ist ein Produkt, das speziell zur Maximierung der Effizienz für eine Vielzahl von schnellen Anwendungen entwickelt wurde.
Maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C.
Co-Packaged-Schutzdiode
Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
Positiver Temperaturkoeffizient
Co-Packaged-Schutzdiode
Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
Positiver Temperaturkoeffizient
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 40 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V |
Gate-Source Spannung max. | 20V |
Verlustleistung max. | 147 W |
Anzahl an Transistoren | 1 |
Gehäusegröße | TO-247 |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 3 |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
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