STMicroelectronics IGBT / 145 A ±20V max. , 650 V 441 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 206-7208
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA100H65DFB2
- Marke:
- STMicroelectronics
Voraussichtlich ab 22.04.2025 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 2)
6,25 €
(ohne MwSt.)
7,44 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
| 2 - 8 | 6,25 € | 12,50 € |
| 10 + | 5,305 € | 10,61 € |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 206-7208
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA100H65DFB2
- Marke:
- STMicroelectronics
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der STMicroelectronics Trench Gate Feldanschlag, 650 V, 100 A, Hochgeschwindigkeits-IGBT der Serie HB2 in einem TO-247-Gehäuse mit langen Leitungen.
Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = 175 °C.
Niedriger VCE(sat) = 1,55 V (typ.) @ IC = 100 A
Sehr schnelle und weiche Rückgewinnungsdiode in einem Gehäuse
Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient
Niedriger VCE(sat) = 1,55 V (typ.) @ IC = 100 A
Sehr schnelle und weiche Rückgewinnungsdiode in einem Gehäuse
Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 145 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Verlustleistung max. | 441 W |
| Anzahl an Transistoren | 1 |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Pinanzahl | 3 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
- RS Best.-Nr.:
- 206-7208
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA100H65DFB2
- Marke:
- STMicroelectronics
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