STMicroelectronics IGBT / 145 A, 650 V 441 W, 4-Pin TO-247-4 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
212-2107
Herst. Teile-Nr.:
STGW100H65FB2-4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

145A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

441W

Gehäusegröße

TO-247-4

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

4

Schaltgeschwindigkeit

1MHz

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

15.9mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

STG

Höhe

5.1mm

Automobilstandard

Nein

IGBT


Die Serie STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stellt eine Weiterentwicklung der Advanced proprietären Trench Gate Field Stopp-Struktur dar. Die Leistung der HB2-Serie ist durch ein besseres VCE(sat)-Verhalten bei niedrigen Stromwerten sowie durch reduzierte Schaltenergie optimiert. Das Ergebnis ist ein Produkt, das speziell zur Maximierung der Effizienz für eine Vielzahl von schnellen Anwendungen entwickelt wurde.

Minimierter Endstrom

Enge Parameterverteilung

Niedriger Wärmewiderstand

Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient

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