STMicroelectronics IGBT / 145 A ±20V max. , 650 V 441 W, 4-Pin To247-4 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
212-2107
Herst. Teile-Nr.:
STGW100H65FB2-4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Dauer-Kollektorstrom max.

145 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

441 W

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

To247-4

Channel-Typ

N

Pinanzahl

4

Transistor-Konfiguration

Einfach

IGBT


Die Serie STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stellt eine Weiterentwicklung der Advanced proprietären Trench Gate Field Stopp-Struktur dar. Die Leistung der HB2-Serie ist durch ein besseres VCE(sat)-Verhalten bei niedrigen Stromwerten sowie durch reduzierte Schaltenergie optimiert. Das Ergebnis ist ein Produkt, das speziell zur Maximierung der Effizienz für eine Vielzahl von schnellen Anwendungen entwickelt wurde.

Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient

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