STMicroelectronics IGBT / 87 A ±20V max. , 650 V 441 W, 3-Pin To-247 lange Leitungen

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RS Best.-Nr.:
330-470
Herst. Teile-Nr.:
STGWA30M65DF2AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Dauer-Kollektorstrom max.

87 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

441 W

Gehäusegröße

To-247 lange Leitungen

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN
Der IGBT von STMicroelectronics wurde unter Verwendung einer fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Feldstop-Struktur entwickelt. Das Gerät ist Teil der IGBTs der Serie M, die eine optimale Balance zwischen Wechselrichtersystemleistung und Effizienz darstellen, wo der geringe Verlust und die Kurzschlussfunktionalität unerlässlich sind.

Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
Weiche und sehr schnell reagierende antiparallele Diode

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