STMicroelectronics IGBT / 80 A, 650 V 535 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 261-5071
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA80H65DFBAG
- Marke:
- STMicroelectronics
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- 261-5071
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- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 80A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 535W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 15V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | STGWA | |
| Länge | 15.8mm | |
| Breite | 21 mm | |
| Höhe | 5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 80A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 535W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 15V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie STGWA | ||
Länge 15.8mm | ||
Breite 21 mm | ||
Höhe 5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Das IGBT von STMicroelectronics wurde mit einer fortschrittlichen proprietären Trenngatter-Feld-Stopp-Struktur entwickelt. Das Gerät ist Teil der neuen IGBT-Serie HB, die einen optimalen Kompromiss zwischen Leitfähigkeit und Schaltverlust darstellt, um den Wirkungsgrad eines beliebigen Frequenzwandlers zu maximieren. Darüber hinaus ist der leicht positive VCE(sat) Temperaturkoeffizienten und eine sehr enge Parameterverteilung führen zu einem sicheren Parallelbetrieb.
AEC-Q101-qualifiziert
Hochgeschwindigkeits-Schalterserie
Die maximale Abzweigtemperatur TJ beträgt 175 °C.
Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
Positiver Temperatur-VCE(sat)-Koeffizient
Weiche und sehr schnelle Antiparalleldiode
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