Infineon IGBT / 80 A, 650 V 333 W, 3-Pin PG-TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 258-1021
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW75N65ET7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 30 - 30 | 3,228 € | 96,84 € |
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| 150 + | 2,938 € | 88,14 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-1021
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW75N65ET7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 80A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 333W | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.65V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 16.3 mm | |
| Länge | 41.9mm | |
| Höhe | 5.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 80A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 333W | ||
Gehäusegröße PG-TO-247 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.65V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 16.3 mm | ||
Länge 41.9mm | ||
Höhe 5.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der hartschaltbare TRENCHSTOP IGBT7 von Infineon, 650 V, 75 A, diskret in TO-247-Gehäuse mit weicher EC7-Diode im Inneren. Diese preisoptimierte Leistungsserie bietet eine erstklassige Steuerbarkeit für bessere elektromagnetische Störungen, während die Schaltverluste niedriger sind als bei früheren Technologien.
Geringe Abschaltverluste
Kurzer Anschlussstrom
Geringere elektromagnetische Störungen
Feuchtigkeitsbeständiges Design
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