Infineon IGBT / 80 A, 650 V 333 W, 3-Pin PG-TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 258-1021
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW75N65ET7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 3,228 € | 96,84 € |
| 60 - 120 | 3,067 € | 92,01 € |
| 150 + | 2,938 € | 88,14 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-1021
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW75N65ET7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 80A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 333W | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.65V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 41.9mm | |
| Breite | 16.3 mm | |
| Höhe | 5.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 80A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 333W | ||
Gehäusegröße PG-TO-247 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.65V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 41.9mm | ||
Breite 16.3 mm | ||
Höhe 5.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der hartschaltbare TRENCHSTOP IGBT7 von Infineon, 650 V, 75 A, diskret in TO-247-Gehäuse mit weicher EC7-Diode im Inneren. Diese preisoptimierte Leistungsserie bietet eine erstklassige Steuerbarkeit für bessere elektromagnetische Störungen, während die Schaltverluste niedriger sind als bei früheren Technologien.
Geringe Abschaltverluste
Kurzer Anschlussstrom
Geringere elektromagnetische Störungen
Feuchtigkeitsbeständiges Design
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