Infineon IGBT / 50 A 20V max., 650 V 282 W PG-TO247-3

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
244-2919
Herst. Teile-Nr.:
IKW50N65WR5XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

50 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

20V

Verlustleistung max.

282 W

Gehäusegröße

PG-TO247-3

Die Infineon Monolithic Diode, optimiert für PFC- und Schweißanwendungen. Es verfügt über ein stabiles Temperaturverhalten und sehr niedrige VCEsat und niedrige Eoff sowie eine einfache parallele Schaltfähigkeit basierend auf dem positiven Temperaturkoeffizienten von VCEsat.

Geringe elektromagnetische Störungen
Niedrige elektrische Parameter abhängig von der Temperatur
Zugelassen gemäß JESD-022 für Zielanwendungen
Bleifreie Leitungsbeschichtung
RO HS-konform
Komplettes Produktspektrum und Pspice Models

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