- RS Best.-Nr.:
- 259-1533
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW50N65F5FKSA1
- Marke:
- Infineon
Preis pro Stück (In einer VPE à 2)
4,245 €
(ohne MwSt.)
5,052 €
(inkl. MwSt.)
999999999 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
---|---|---|
2 - 8 | 4,245 € | 8,49 € |
10 - 18 | 3,735 € | 7,47 € |
20 - 48 | 3,525 € | 7,05 € |
50 - 98 | 3,27 € | 6,54 € |
100 + | 3,015 € | 6,03 € |
*Bitte VPE beachten
Nicht als Expresslieferung erhältlich
- RS Best.-Nr.:
- 259-1533
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW50N65F5FKSA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Das Hochgeschwindigkeits-Hard-Switching-IGBT von Infineon ist mit der RAPID 1 schnellen und weichen Anti-Parallel-Diode in einem TO-247-Gehäuse verpackt, definiert als "best-in-class" IGBT. Er hat den besten Wirkungsgrad in seiner Klasse, was zu einer niedrigeren Anschluss- und Gehäusetemperatur führt, was zu einer höheren Gerätezuverlässigkeit führt. 50-V-Erhöhung der Busspannung möglich, ohne die Zuverlässigkeit zu beeinträchtigen.
Durchgangsspannung: 650 V
Im Vergleich zur besten HighSpeed 3-Familie
Faktor 2,5 niedriger Qg
Reduzierung der Schaltverluste um den Faktor 2
200 mV Reduzierung bei VCEsat
Mitgepackt mit Rapid Si-Diode-Technologie
Niedrige COES/EOSS
Leichter positiver Temperaturkoeffizient VCEsa
Im Vergleich zur besten HighSpeed 3-Familie
Faktor 2,5 niedriger Qg
Reduzierung der Schaltverluste um den Faktor 2
200 mV Reduzierung bei VCEsat
Mitgepackt mit Rapid Si-Diode-Technologie
Niedrige COES/EOSS
Leichter positiver Temperaturkoeffizient VCEsa
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 80 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V |
Gate-Source Spannung max. | ±20V |
Verlustleistung max. | 305 W |
Gehäusegröße | PG-TO247-3 |
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