- RS Best.-Nr.:
- 259-1532
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW50N65F5FKSA1
- Marke:
- Infineon
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Preis pro Stück (In einer Stange von 30)
3,341 €
(ohne MwSt.)
3,976 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
---|---|---|
30 - 30 | 3,341 € | 100,23 € |
60 - 120 | 3,174 € | 95,22 € |
150 + | 3,04 € | 91,20 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 259-1532
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW50N65F5FKSA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Das Hochgeschwindigkeits-Hard-Switching-IGBT von Infineon ist mit der RAPID 1 schnellen und weichen Anti-Parallel-Diode in einem TO-247-Gehäuse verpackt, definiert als "best-in-class" IGBT. Er hat den besten Wirkungsgrad in seiner Klasse, was zu einer niedrigeren Anschluss- und Gehäusetemperatur führt, was zu einer höheren Gerätezuverlässigkeit führt. 50-V-Erhöhung der Busspannung möglich, ohne die Zuverlässigkeit zu beeinträchtigen.
Durchgangsspannung: 650 V
Im Vergleich zur besten HighSpeed 3-Familie
Faktor 2,5 niedriger Qg
Reduzierung der Schaltverluste um den Faktor 2
200 mV Reduzierung bei VCEsat
Mitgepackt mit Rapid Si-Diode-Technologie
Niedrige COES/EOSS
Leichter positiver Temperaturkoeffizient VCEsa
Im Vergleich zur besten HighSpeed 3-Familie
Faktor 2,5 niedriger Qg
Reduzierung der Schaltverluste um den Faktor 2
200 mV Reduzierung bei VCEsat
Mitgepackt mit Rapid Si-Diode-Technologie
Niedrige COES/EOSS
Leichter positiver Temperaturkoeffizient VCEsa
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 80 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V |
Gate-Source Spannung max. | ±20V |
Verlustleistung max. | 305 W |
Gehäusegröße | PG-TO247-3 |
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