STMicroelectronics IGBT ±30V max. , 650 V 167 W, 3-Pin To-247 lange Leitungen N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 201-4418
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA30HP65FB2
- Marke:
- STMicroelectronics
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- STGWA30HP65FB2
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der STMicroelectronics Trench Gate Feldanschlag, 650 V, 30 A, Hochgeschwindigkeits-IGBT der Serie HB2 in einem TO-247-Gehäuse mit langen Leitungen, hat einen positiven VCE(sat)-Temperaturkoeffizienten.
Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±30V |
| Anzahl an Transistoren | 1 |
| Verlustleistung max. | 167 W |
| Gehäusegröße | To-247 lange Leitungen |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 3 |
| Transistor-Konfiguration | Serie |
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