STMicroelectronics IGBT ±30V max. , 650 V 167 W, 3-Pin To-247 lange Leitungen N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
201-4418
Herst. Teile-Nr.:
STGWA30HP65FB2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±30V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

167 W

Gehäusegröße

To-247 lange Leitungen

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Serie

Der STMicroelectronics Trench Gate Feldanschlag, 650 V, 30 A, Hochgeschwindigkeits-IGBT der Serie HB2 in einem TO-247-Gehäuse mit langen Leitungen, hat einen positiven VCE(sat)-Temperaturkoeffizienten.

Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand

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