STMicroelectronics IGBT / 50 A ±20V max. , 650 V 167 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
204-9867
Herst. Teile-Nr.:
STGB30H65DFB2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Dauer-Kollektorstrom max.

50 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

167 W

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Pinanzahl

3

Ursprungsland:
CN
Die Serie STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stellt eine Weiterentwicklung der Advanced proprietären Trench Gate Field Stopp-Struktur dar. Die Leistung der HB2-Serie ist durch ein besseres VCE(sat)-Verhalten bei niedrigen Stromwerten sowie durch reduzierte Schaltenergie optimiert.

Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = 175 °C.
Niedriger VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 30 A
Sehr schnelle und weiche Rückgewinnungsdiode in einem Gehäuse
Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung

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