STMicroelectronics IGBT / 50 A ±20V max. , 650 V 167 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 204-9868
- Herst. Teile-Nr.:
- STGB30H65DFB2
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 204-9868
- Herst. Teile-Nr.:
- STGB30H65DFB2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 50 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Verlustleistung max. | 167 W | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 50 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Verlustleistung max. 167 W | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Pinanzahl 3 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die Serie STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stellt eine Weiterentwicklung der Advanced proprietären Trench Gate Field Stopp-Struktur dar. Die Leistung der HB2-Serie ist durch ein besseres VCE(sat)-Verhalten bei niedrigen Stromwerten sowie durch reduzierte Schaltenergie optimiert.
Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = 175 °C.
Niedriger VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 30 A
Sehr schnelle und weiche Rückgewinnungsdiode in einem Gehäuse
Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 30 A
Sehr schnelle und weiche Rückgewinnungsdiode in einem Gehäuse
Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
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