STMicroelectronics IGBT / 50 A ±20V max. , 650 V 167 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 204-9868
- Herst. Teile-Nr.:
- STGB30H65DFB2
- Marke:
- STMicroelectronics
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| 100 - 245 | 1,786 € | 8,93 € |
| 250 - 495 | 1,488 € | 7,44 € |
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- 204-9868
- Herst. Teile-Nr.:
- STGB30H65DFB2
- Marke:
- STMicroelectronics
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Die Serie STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stellt eine Weiterentwicklung der Advanced proprietären Trench Gate Field Stopp-Struktur dar. Die Leistung der HB2-Serie ist durch ein besseres VCE(sat)-Verhalten bei niedrigen Stromwerten sowie durch reduzierte Schaltenergie optimiert.
Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = 175 °C.
Niedriger VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 30 A
Sehr schnelle und weiche Rückgewinnungsdiode in einem Gehäuse
Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 30 A
Sehr schnelle und weiche Rückgewinnungsdiode in einem Gehäuse
Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 50 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Anzahl an Transistoren | 1 |
| Verlustleistung max. | 167 W |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
| Pinanzahl | 3 |
- RS Best.-Nr.:
- 204-9868
- Herst. Teile-Nr.:
- STGB30H65DFB2
- Marke:
- STMicroelectronics
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