STMicroelectronics IGBT / 86 A, 650 V, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 204-9869
- Herst. Teile-Nr.:
- STGB50H65FB2
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 204-9869
- Herst. Teile-Nr.:
- STGB50H65FB2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 86A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 86A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die IGBT 650 V HB2-Serie von STMicroelectronics ist eine Weiterentwicklung der Advanced proprietären Trunking Gate Field-Stop-Struktur. Die Leistung der HB2-Serie ist dank eines besseren VCE(sat)-Verhaltens bei niedrigen Stromwerten und einer geringeren Schaltenergie optimiert.
Maximale Anschlusstemperatur: TJ = 175 °C
Niedriger VCE(sat) = 1,55 V(typ.) @ IC = 50 A
Minimierter Schwanzstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
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