STMicroelectronics IGBT / 86 A, 650 V, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 204-9870
- Herst. Teile-Nr.:
- STGB50H65FB2
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 204-9870
- Herst. Teile-Nr.:
- STGB50H65FB2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic) | 86 A | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo) | 650 V | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO) | 20 V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic) 86 A | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo) 650 V | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO) 20 V | ||
- Ursprungsland:
- CN
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the Advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.
Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
Low VCE(sat) = 1.55 V(typ.) @ IC = 50 A
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
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