STMicroelectronics IGBT / 40 A, 650 V, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
204-9875
Herst. Teile-Nr.:
STGP20H65DFB2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

40A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

TO-220

Pinanzahl

3

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Ursprungsland:
CN
Die IGBT 650 V HB2-Serie von STMicroelectronics ist eine Weiterentwicklung der Advanced proprietären Trunking Gate Field-Stop-Struktur. Die Leistung der HB2-Serie ist dank eines besseren VCE(sat)-Verhaltens bei niedrigen Stromwerten und einer geringeren Schaltenergie optimiert.

Maximale Anschlusstemperatur: TJ = 175 °C

Niedriger VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 20 A

Sehr schnelle und weiche Wiederherstellungsdiode mit Mitverpackung

Minimierter Schwanzstrom

Enge Parameterverteilung

Niedriger Wärmewiderstand

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