STMicroelectronics IGBT / 40 A ±20V max. , 650 V 147 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 204-9876
- Herst. Teile-Nr.:
- STGP20H65DFB2
- Marke:
- STMicroelectronics
Voraussichtlich ab 19.05.2025 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 5)
2,442 €
(ohne MwSt.)
2,906 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
| 5 - 5 | 2,442 € | 12,21 € |
| 10 - 20 | 2,304 € | 11,52 € |
| 25 + | 2,248 € | 11,24 € |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 204-9876
- Herst. Teile-Nr.:
- STGP20H65DFB2
- Marke:
- STMicroelectronics
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Die Serie STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stellt eine Weiterentwicklung der Advanced proprietären Trench Gate Field Stopp-Struktur dar. Die Leistung der HB2-Serie ist durch ein besseres VCE(sat)-Verhalten bei niedrigen Stromwerten sowie durch reduzierte Schaltenergie optimiert.
Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = 175 °C.
Niedriger VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 20 A
Sehr schnelle und weiche Rückgewinnungsdiode in einem Gehäuse
Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
Niedriger VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 20 A
Sehr schnelle und weiche Rückgewinnungsdiode in einem Gehäuse
Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 40 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Verlustleistung max. | 147 W |
| Anzahl an Transistoren | 1 |
| Gehäusegröße | TO-220 |
| Pinanzahl | 3 |
- RS Best.-Nr.:
- 204-9876
- Herst. Teile-Nr.:
- STGP20H65DFB2
- Marke:
- STMicroelectronics
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