STMicroelectronics IGBT / 40 A, 650 V, 3-Pin TO-247 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
202-5517
Herst. Teile-Nr.:
STGWA40H65DFB2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

40A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

TO-247

Kabelkanaltyp

N

Pinanzahl

3

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Das Hochgeschwindigkeits-IGBT der HB2-Serie von STMicroelectronics ist eine Weiterentwicklung der Advanced proprietären Trunk Gate Field-Stop-Struktur. Die Leistung der HB2-Serie ist dank eines besseren VCE(sat)-Verhaltens bei niedrigen Stromwerten und einer geringeren Schaltenergie optimiert.

Enge Parameterverteilung

Niedriger Wärmewiderstand

Positiver Temperaturkoeffizient VCE(sat)

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