STMicroelectronics IGBT / 40 A ±20V max. , 650 V 230 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

Alle IGBT anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
202-5516
Herst. Teile-Nr.:
STGWA40H65DFB2
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Dauer-Kollektorstrom max.

40 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

230 W

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

TO-247

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Single & Common Emitter

Der Hochgeschwindigkeits-IGBT der Serie STMicroelectronics HB2 stellt eine Weiterentwicklung der Advanced proprietären Trench Gate Field Stopp-Struktur dar. Die Leistung der HB2-Serie ist durch ein besseres VCE(sat)-Verhalten bei niedrigen Stromwerten sowie durch reduzierte Schaltenergie optimiert.

Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient

Verwandte Links