STMicroelectronics IGBT / 50 A ±20V max. , 650 V 167 W, 3-Pin TO-247

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

59,94 €

(ohne MwSt.)

71,34 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 630 Einheit(en) mit Versand ab 29. Dezember 2025
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 - 901,998 €59,94 €
120 - 2701,84 €55,20 €
300 - 5701,792 €53,76 €
600 - 11701,746 €52,38 €
1200 +1,702 €51,06 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
204-9877
Herst. Teile-Nr.:
STGWA30H65DFB2
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Dauer-Kollektorstrom max.

50 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

167 W

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

TO-247

Pinanzahl

3

Ursprungsland:
CN
Die Serie STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stellt eine Weiterentwicklung der Advanced proprietären Trench Gate Field Stopp-Struktur dar. Die Leistung der HB2-Serie ist durch ein besseres VCE(sat)-Verhalten bei niedrigen Stromwerten sowie durch reduzierte Schaltenergie optimiert.

Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = 175 °C.
Niedriger VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 30 A
Sehr schnelle und weiche Rückgewinnungsdiode in einem Gehäuse
Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand

Verwandte Links