Infineon IGBT / 50 A, 650 V 270 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
218-4389
Herst. Teile-Nr.:
IGB50N65H5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

50A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

270W

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.65V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 ±30 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.31mm

Serie

High Speed Fifth Generation

Höhe

4.57mm

Normen/Zulassungen

JEDEC47/20/22

Breite

9.45 mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon Trenchstop IGBT5-Technologie definiert den klassenbesten IGBT neu, was zu einer niedrigeren Verbindungs- und Gehäusetemperatur führt, was zu einer höheren Gerätezuverlässigkeit führt, indem sie eine unübertroffene Leistung in Bezug auf Effizienz für harte Schaltanwendungen bietet. Er hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 650 V und einen Kollektorstrom von 80 A.

Höhere Leistungsdichte

50-V-Erhöhung der Busspannung möglich, ohne Kompromisse bei der Zuverlässigkeit einzugehen

Leichter positiver Temperaturkoeffizient

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