Infineon IGBT / 80 A 20V max. , 650 V 270 W, 3-Pin TO-263 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 218-4390
- Herst. Teile-Nr.:
- IGB50N65H5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 - 20 | 3,226 € | 16,13 € |
| 25 - 45 | 2,902 € | 14,51 € |
| 50 - 120 | 2,708 € | 13,54 € |
| 125 - 245 | 2,516 € | 12,58 € |
| 250 + | 2,324 € | 11,62 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-4390
- Herst. Teile-Nr.:
- IGB50N65H5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 80 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | 20V | |
| Verlustleistung max. | 270 W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 80 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. 20V | ||
Verlustleistung max. 270 W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Die Infineon Trenchstop IGBT5-Technologie definiert den klassenbesten IGBT neu, was zu einer niedrigeren Verbindungs- und Gehäusetemperatur führt, was zu einer höheren Gerätezuverlässigkeit führt, indem sie eine unübertroffene Leistung in Bezug auf Effizienz für harte Schaltanwendungen bietet. Er hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 650 V und einen Kollektorstrom von 80 A.
Höhere Leistungsdichte
50-V-Erhöhung der Busspannung möglich, ohne Kompromisse bei der Zuverlässigkeit einzugehen
Leichter positiver Temperaturkoeffizient
50-V-Erhöhung der Busspannung möglich, ohne Kompromisse bei der Zuverlässigkeit einzugehen
Leichter positiver Temperaturkoeffizient
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