Infineon IGBT / 80 A 30V max. , 650 V 270 W, 3-Pin PG-TO263 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
226-6063
Herst. Teile-Nr.:
IGB50N65S5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

80 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

30V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

270 W

Gehäusegröße

PG-TO263

Konfiguration

Single

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Der Infineon IGB50N65S ist ein 50-A-IGBT mit antiparalleler Diode ohne Gate-Klemmkomponente. In diesem weichen Stromabfallverhalten ohne Rückstrom ist es ausgezeichnet für die Parallelschaltung geeignet.

Sehr niedriger VCEsat von 1,35 V bei 25 °C
Maximale Sperrschichttemperatur TVJ 175 °C.
Vierfacher Nennstrom

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